Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - Hot-Swap
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
3072-Bit-RSA
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
232-Layer TLC NAND Technologie, Advanced ECC Engine, End-to-End-Datenschutz, fortschrittliche Architektur zum Schutz vor Leistungsverlusten, einstellbare thermische Überwachung, Secure Execution Environment, Asymmetric Roots of Trust, Strong Asymmetric Key Support, RSA Delegation Key Support, Secure Boot, Key-basiertes Firmware-Update, Key-basierter privilegierter Zugang, S.M.A.R.T.
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
3
Interner Datendurchsatz
6800 MBps (lesen)/ 5300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
1100000 IOPS
4 KB Random Write
390000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
12.8 Watt (Lesen)
15.5 Watt (Schreiben)
Verschiedenes
Kennzeichnung
EN55024 Class B, EN 55032, FCC CFR 47 Part 15 Class B, UL/cUL, UL-60950-1 2nd Edition, IEC 60950-1:2005 Second Edition, EN 60950-1:2006+A1:2010+A11:2009 + A12:2011 + A2:2013, CNS 13438 Class B, CNS 15663, AS/NZS CISPR32 Class B, RCM, KN32 Class B, KN35 Class B, WEEE 2012/19/EC, IEC60950/EN60950, VCCI Class B, ICES-003 Class B, UkrSEPRO, Morocco, EN55032 Class B, RoHS, UKCA, SI 2016/1091 Class B, SI 2012/3032 RoHS, IC, VCCI 2015.04 Class B
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - Austausch - 1 Jahr
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 90% (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
9.1 gRMS @ 5-800 Hz
Informationen zur Kompatibilität
Entwickelt für
P/N: 7S0A007FWW, 7S0A007HWW, 7S0A007KWW, 7S0A007MWW, 7S0A007PWW
